ccd电子元器件CCD器件充电板
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ccd电子元器件相关拓展
CCD器件
光注入当光照射到CCD硅片上时,,在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对,其多数载流子被栅极电压排开,少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。CCD摄象器件的光敏单元为光注入方式。光注入电荷QIP=ηq△neoATC式中:η为材料的量子效率:q为电子电荷量。△neo为入射光的光子流速。A为光敏单元的受光面积。
由此式可以看出,当CCD确定以后,η.q及A均为常数,注入到势阱中的信号电荷QIP与入射光的光子流速△neo及注入时间TC成正比。注入时间TC由CCD驱动器的转移脉冲的周期TSH决定,当所设计的驱动器能够保证其注入时间稳定不变时,注入到势阱中的信号电荷只与入射辐射的光子流速率△neo成正比。光注入的电荷量与入射的谱辐量度在单色入射辐射时,入射光的光子流速率与入射的光谱辐通量的关系为△neλ=φeλ/hv,h,v,λ均为常数。
ccd电子耦合器件
第9章新型光电传感器9.1电荷耦合器件(CCD)主要内容教学目标:掌握CCD的工作原理。掌握CCD图像传感器的结构及图像数据采集、传输原理。掌握CCD传感器的典型应用。从CCD基本单元结构入手,介绍其工作原理。介绍CCD图像传感器的不同结构及各自工作原理。介绍CCD图像传感器的典型应用。电荷耦合器件,又称CCD()图像传感器,是一种大规模集成电路光电器件。
电荷耦合器件具有光电转换,信息存储、转移传输等功能。CCD是由按一定规律排列的M0S阵列组成。「「I「]II「「I「]II]N-SiMOS电容的结构金属绝缘层Si。表面的电极加正偏压时,P型硅衬底中形成耗尽区(势阱),其深度随正偏压升高而加大。
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